TY - BOOK UR - http://lib.ugent.be/catalog/pug01:1026280 ID - pug01:1026280 LA - fre TI - Conduction par pièges dans les films minces de dioxyde de silicium PY - 2010 SN - 978 PB - Saarbrücken Éditions Universitaires Européennes 2010 AU - Burignat, Stéphane AB - Le marché des mémoires non volatiles à grille flottante connaît un essor considérable du fait de leur utilisation croissante dans tous les domaines d'applications de la microélectronique et par conséquent dans de très nombreux secteurs industriels. Cependant, ces dispositifs mémoires se heurtent à une limite technologique liée à l'impossibilité de réduire l'épaisseur de la couche d'oxyde tunnel isolant la grille flottante contenant l'information, sans atteindre le domaine des courants de fuite induits (Stress Induced Leakage Current). Ces fuites engendrent des pertes de charge qui diminuent drastiquement le temps de rétention et la durée de vie des cellules mémoires. À travers ce livre riche en détails techniques et scientifiques, l'auteur aborde successivement les nombreuses étapes indispensables qui doivent être prises en compte lors du développement d'outils de caractérisation adaptés à la mesure des courants SILC inférieurs au fA. Il explique également, en les justifiant, chaque étape de la construction d'un modèle de conduction assisté par des pièges situés dans l'oxyde de grille et permettant de réaliser l'extraction des profils spatial et énergétique de ces défauts. ER -Download RIS file
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| 040 | a UGent | ||
| 245 | a Conduction par pièges dans les films minces de dioxyde de silicium | ||
| 246 | a Étapes de développement d'un modèle de conduction assisté par pièges, Techniques de caractérisation assocées et Étude des courants de fuites | ||
| 260 | a Saarbrücken b Éditions Universitaires Européennes c 2010 | ||
| 520 | a Le marché des mémoires non volatiles à grille flottante connaît un essor considérable du fait de leur utilisation croissante dans tous les domaines d'applications de la microélectronique et par conséquent dans de très nombreux secteurs industriels. Cependant, ces dispositifs mémoires se heurtent à une limite technologique liée à l'impossibilité de réduire l'épaisseur de la couche d'oxyde tunnel isolant la grille flottante contenant l'information, sans atteindre le domaine des courants de fuite induits (Stress Induced Leakage Current). Ces fuites engendrent des pertes de charge qui diminuent drastiquement le temps de rétention et la durée de vie des cellules mémoires. À travers ce livre riche en détails techniques et scientifiques, l'auteur aborde successivement les nombreuses étapes indispensables qui doivent être prises en compte lors du développement d'outils de caractérisation adaptés à la mesure des courants SILC inférieurs au fA. Il explique également, en les justifiant, chaque étape de la construction d'un modèle de conduction assisté par des pièges situés dans l'oxyde de grille et permettant de réaliser l'extraction des profils spatial et énergétique de ces défauts. | ||
| 598 | a B1 | ||
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| 650 | a Physics and Astronomy | ||
| 653 | a thin film | ||
| 653 | a film mince | ||
| 653 | a mesure | ||
| 653 | a measurement | ||
| 653 | a banc | ||
| 653 | a bench | ||
| 653 | a low level current | ||
| 653 | a courant faibles | ||
| 653 | a grille flottante | ||
| 653 | a floating gate | ||
| 653 | a mémoire | ||
| 653 | a mémory | ||
| 653 | a EEPROM | ||
| 653 | a Flash | ||
| 653 | a FLOTOX | ||
| 653 | a modèle | ||
| 653 | a modeling | ||
| 653 | a transport | ||
| 653 | a TAT | ||
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| 653 | a stress induced current | ||
| 653 | a C-V | ||
| 653 | a I-V | ||
| 653 | a I-t | ||
| 653 | a V-t | ||
| 653 | a electric field | ||
| 653 | a champ électrique | ||
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| 653 | a defect | ||
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